理解英飞凌MOSFET器件的数据手册

仅仅是自己的理解和应用需求，不全面，望见谅。
以器件IPT60R040S7为例

• Power dissipation
  $P_{tot} = 245W, T_j = 25°C$Ptot​=245W,Tj​=25°C

Power dissipation字面意思：功耗。而且此处显然指的是一只管子的功耗。这就有点了不得了。如果我们想要保证管子的结温不高于150度，那么此时计算出来的热阻大概在 （150 - 25）/ 245 = 0.5 °C/W。
datasheet上面给出的热阻数据

Parameter	value.51
Thermal resistance, junction - case	0.51
Thermal resistance, junction - ambient	62

而我们这时候看期间手册上给出的热阻数据，发现仅仅是从壳到结的热阻就已经达到了0.51.所以，这个功耗应当是在壳温与环境温度相等的情况下计算出来的。相当达到这种散热条件，散热的要求要非常高，近乎理想。所以，实际上器件手册上给出的这个$P_{tot}$Ptot​参考意义不大，仅仅是表征从结到壳的热阻大小。

• Drain-source on-state resistance $R_{DS, on}$RDS,on​
  typical 0.036 Ω $T_j = 25$Tj​=25
  typical 0.084 Ω $T_j = 125$Tj​=125
  我们大致可以从$R_{DS, on}$RDS,on​的以上数值看出这个器件的导通损耗水平。
  但是若要具体计算电路中器件的导通损耗，仅仅用以上的数据是远不够精确的，还要结合多种因素（如漏极电流、器件温度）对其的影响曲线。可能用到拟合、迭代等多种运算方法。
  
• MOSFET的各种电容参数（先挖个坑，日后做详解）