MPSOC硬件设计参考1

1. MPSOC 4EV MGTRAVCC PS_MGTRAVCC 大坑

• 对于 速度等级是1 ，2 的器件，二者电压不相同
• PS PL 部分对高速串行接口的电压要求不同
• PS_MGTRAVCC= 0.85 ，PL_MGTRAVCC=0.9

2. PS 侧高速差分信号耦合要求

• 高速串行时钟（如GTR_REF_SATA_CLK），耦合电容用10nF
• 高速差分数据信号，包括发送和接收，耦合电容用100nF
• 见图：

3. DDR VTT 电压

• DDR VTT 电压随DDR1，2，3，4不同而不同
• VREF 电压一般与VO相同
• 具体参考电路可参考 TPS51200
• DDR4 VTT=0.6V
• DDR3L VTT=0.675V
• DDR3 VTT=0.75V
• DDR2 VTT=0.9V
• DDR VTT=1.25V

4. PS CLOCK 输入范围和电平要求

• 晶体输入范围是：27M~60M
• 输入电平：LVCMOS
• 具体电压参考BANK 电压，如LVCMOS18 LVCMS33