N型半导体 5价 磷 多子是电子
P 3 硼 多子是空穴
Nmos 源级 电子移动到 漏级，电流漏级到源级
线性区、非饱和区、饱和区
非饱和区、饱和区、截至区 I-V特性
增强型（主流）、耗尽型
符号
结构
四业分离---工艺与设计接口
工艺线选择（性能、成本）
几何设计规则
模型参数和寄生参数（无处不在）
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