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1.   滤波电容,去耦电容,旁路电容

2.   电容特性

3.   电容滤波电路

关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用(转)
2007-07-28 11:10
滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。
去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。
旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。
1.关于去耦电容蓄能作用的理解
1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水,这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了,等水过来,我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看,高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下,阻抗Z=i*wL+R,线路的电感影响也会非常大,会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一(在vcc引脚上通常并联一个去藕电容,这样交流分量就从这个电容接地。)。
2)有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
2.旁路电容和去耦电容的区别
     去耦:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。
     旁路:从组件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。
     我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
     在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。
 
高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C="1"/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
电容器选用及使用注意事项:
1,一般在低频耦合或旁路,电气特性要求较低时,可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中,应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中,可选用电解电容器。
2,在振荡电路、延时电路、音调电路中,电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网(选频网络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度的要求不太严格。
3,电容器额定电压应高于实际工作电压,并要有足够的余地,一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。
4,优先选用绝缘电阻高,损耗小的电容器,还要注意使用环境。

高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C="1"/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
电容器选用及使用注意事项:
1,一般在低频耦合或旁路,电气特性要求较低时,可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中,应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中,可选用电解电容器。
2,在振荡电路、延时电路、音调电路中,电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网(选频网络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度的要求不太严格。
3,电容器额定电压应高于实际工作电压,并要有足够的余地,一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。
4,优先选用绝缘电阻高,损耗小的电容器,还要注意使用环境

电容特性:
在消费类电子产品系统中,体积越来越小,器件摆放越来越密,模拟、数字部分已很难通过布局有效分开,系统设计工程师往往在电源网络中使用很多电容,衰减高频数字噪声,期望能“净化”电源,减少对模拟电路的干扰。
在电压调整器中,在输入、输出端通常都各有一只电容,跨接在输入、输出管脚和地(GND)之间。输入电容的主要作用是滤除交流噪声,抑制输入端的电压变化。而输出电容的作用,除了构成反馈环路的一部分之外(增加一个额外的零点,当然不可避免的也要带来一个极点,提高环路的相位裕量),还可以抑制由于负载电流或者输入电压瞬变引起的输出电压变化。从某种角度来说,滤除交流噪声与抑制电压突变在本质上是一回事,那就是去除交流信号。
电容的特性
不同介质种类的电容,其自身特性相差甚远。在描述电容的特性之前,我们需要了解以下几个参数:
电阻—符号R,是指通过导体的直流电压与电流之比,单位为欧姆。
电抗—符号X,是交流电路中由电感和电容引起的阻抗部分,包括感抗(XL)和容抗(XC),单位为欧姆。
阻抗—符号Z,是一个复合参数,实部为电阻,虚部为电抗,单位为欧姆,所以阻抗也可以表示为:Z = R + jX。
电导—符号G,是指通过导体的直流电流与电压之比,电阻的倒数,单位为西门子。
电纳—符号B,是导纳的虚数部分,包括容纳(BC)和感纳(BL),单位为西门子。
导纳—符号Y,是阻抗Z的倒数,也是一个复合参数,实部为电导,虚部为电纳,单位为西门子,也可以表示为:Y = G + jB
导纳Y通常表示的是器件并联的情况,而阻抗Z表示的则是器件串联的情况,见图1。
其中,

W=2πf
电容: Z=R+jX=R+1/jwc=R+1/j2πfc=R-j1/2πfc
电感: Z=R+jX=R+jwL=R+j2πfL

所以对于串联的器件组合,如果θ>0℃,则说明器件两端有感性,越接近90℃,感性越强,当θ=90℃时,为纯感性器件。同样θ< 0℃,则说明器件有容性,越接近-90℃,容性越强,当θ=-90℃时,为纯容性器件。常见的几种类型的电容特点如表1所示,

现实中并没有纯电阻,也没有纯电容或电感,都是这几种理想器件的组合。实际的电解电容的等效电路可以表示如图2所示。其中:Ra—介质吸收引起的电阻,Ca—介质吸收引起的电容,RLE—漏电引起的电阻,RL—引线引起的电阻,LL—引线引起的电感。实际的多层陶瓷电容的等效电路则可以如3表示,对于用作滤波作用的电容,当然不希望有ESL,即使在高频也保持良好的容性,即θ等于或接近-90度。

电容的并联效果

既然实际的电容特性与理想电容有一定的差距,那么接在输入、输出端的滤波电容到底产生了什么样的作用呢?有的应用手册上给出,使用两颗电容并联到GND,一颗容值较大的电解电容,另一颗是容值较小的陶瓷电容,比如C1=10uF,C2=0.1uF,为了研究并联的交流特性,加入一只电阻R0,等效成如下电路,交流特性的影响是由两只电容引起的,如图4所示。

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