实验目的：突破4KB的Steppingstone存储空间限制，读取NandFlash中4KB后的代码实现“点灯大法”，借此掌握NandFlash的操作。
实验环境及说明：恒颐S3C2410开发板H2410。H2410核心板的NandFlash选用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，该NandFlash容量为64MB。
实验思路：开发板上电启动后，自动将NandFlash开始的4K数据复制到SRAM中，然后跳转到0地址开始执行。然后初始化存储控制器SDRAM，调用NandFlash读函数操作把4KB后的点灯代码复制到SDRAM中，跳到点灯代码的入口点实现点灯操作。
知识掌握：NandFlash内部结构、命令字及存储控制器
一、NandFlash内部结构
不同开发板使用的NandFlash的型号可能不一样，本文只是以K9F1208U0M为例做个简单介绍。引脚描述如下所示：
//设置TACLS、TWRPH0、TWRPH1三者的值，貌似ViVi等代码中TWRPH0设为3，不知这样的好处，知道的可以告诉我！
#define TACLS 0
#define TWRPH0 2
#define TWRPH1 0
/* 初始化NandFlash */
void nand_init(void)
{
/* 使能NandFlash控制器, 初始化ECC, 禁止片选, 设置时序 */
s3c2410nand->NFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);
/* 复位s3c2410 NandFlash */
s3c2410_nand_reset();
}
#define NAND_SECTOR_SIZE 512
#define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1)
/* 读函数 */
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
int i, j;
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
return ; /* 地址或长度不对齐 */
}
/* 选中芯片 */
s3c2410_nand_select_chip();
for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
/* 发出READ0命令 */
s3c2410_write_cmd(0);
/* 写地址*/
s3c2410_write_addr(i);
/*等待*/
s3c2410_wait_idle();
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
*buf = s3c2410_read_data();
buf++;
}
}
/* 取消片选信号 */
s3c2410_nand_deselect_chip();
return ;
};
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