基本常识：
（1）Hot switch好的程序应避免使用热切换（这里热的含义类似于热插拔的“热“），热切换是指带点操作，有电流的情况下断开开关或闭合开关的瞬间，有电流通过，这会减少开关的寿命甚至直接损坏开关。
（2）Latch-up 闩锁效应，由于在信号，电源或地等管脚上施加了错误的电压，在CMOS器件内部引起了大电流，造成局部电流受损甚至烧毁，导致器件寿命缩短设置潜在失效等灾难性后果。
DC测试与隐藏电阻
许多DC测试或验证都是通过驱动电流测量电压或者驱动电压测量电流实现的，其实质是测量电流之中硅介质产生的电阻值。当测试模式为驱动电流时，测量到的电压为这部分电阻上产生的电压，当测试模式为驱动电压时，测量到的电流为这部分电阻上产生的电流。
我们可以抽象一个电阻代替可能的电路，
VOH/IOH
测试方法：
（一）静态方法
阻抗计算
其等效电路如下
上图的两种状态分别为第2种和第3种。
一句话：决赛实操和预赛方案，一定先保证逻辑测试，再进行DC测试！
VOL/IOL
方法与VOH/IOH类似
IDD Gross Current
什么是IDD？IDD测试分为动态和静态两种，动态IDD是器件在正常工作的时候，Drain对GND的漏电流，静态IDD是器件在静态时Drain对GND的漏电流
Gross IDD 测试