74HC595 芯片资料
8 位串行输入 / 输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。三态。
特点
8 位串行输入
8 位串行或并行输出
存储状态寄存器,三种状态
输出寄存器可以直接清除
100MHz 的移位频率
输出能力
并行输出,总线驱动
串行输出;标准
中等规模集成电路
应用
串行到并行的数据转换
Remote control holding register.
描述
595 是告诉的硅结构的 CMOS 器件,
兼容低电压 TTL 电路,遵守 JEDEC 标准。
595 是具有 8 位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。
移位寄存器和存储器是分别的时钟。
数据在 SCHcp 的上升沿输入,在 STcp 的上升沿进入的存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入( Ds ),和一个串行输出( Q7’ ) , 和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行 8 位的,具备三态的总线输出,当使能 OE 时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据
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符号 |
参数 |
条件 |
TYP |
单位 |
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HC |
HCt |
|||||
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tPHL/tPLH |
传输延时 SHcp 到 Q7’ STcp 到 Qn MR 到 Q7’ |
CL=15pF Vcc=5V
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16 17 14 |
21 20 19 |
Ns Ns Ns
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fmax |
STcp 到 SHcp 最大时钟速度 |
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100 57 |
MHz |
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|
CL |
输入电容 |
Notes 1 |
3.5 3.5 |
pF |
||
|
CPD |
Power dissipation capacitance per package. |
Notes2 |
115 130 |
pF |
||
CPD 决定动态的能耗,
PD = CPD × VCC × f1+ ∑ (CL × VCC2 × f0)
F1 =输入频率, CL =输出电容 f0 =输出频率( MHz ) Vcc= 电源电压
引脚说明
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符号 |
引脚 |
描述 |
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Q0…Q7 |
15 , 1 , 7 |
并行数据输出 |
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GND |
8 |
地 |
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Q7’ |
9 |
串行数据输出 |
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MR |
10 |
主复位(低电平) |
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SHCP |
11 |
移位寄存器时钟输入 |
|
STCP |
12 |
存储寄存器时钟输入 |
OE |
13 |
输出有效(低电平) |
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DS |
14 |
串行数据输入 |
|
VCC |
16 |
电源 |
功能表
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输入 |
输出 |
功能 |
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SHCP |
STCP |
OE |
MR |
DS |
Q7’ |
Qn |
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|
× |
× |
L |
↓ |
× |
L |
NC |
MR 为低电平时紧紧影响移位寄存器 |
|
× |
↑ |
L |
L |
× |
L |
L |
空移位寄存器到输出寄存器 |
|
× |
× |
H |
L |
× |
L |
Z |
清空移位寄存器,并行输出为高阻状态 |
|
↑ |
× |
L |
H |
H |
Q6’ |
NC |
逻辑高电平移入移位寄存器状态 0 ,包含所有的移位寄存器状态移入,例如,以前的状态 6 (内部 Q6” )出现在串行输出位。 |
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× |
↑ |
L |
H |
× |
NC |
Qn’ |
移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输出 |
|
↑ |
↑ |
L |
H |
× |
Q6’ |
Qn’ |
移位寄存器内容移入,先前的移位寄存器的内容到达保持寄存器并输出。 |
H =高电平状态
L =低电平状态
↑=上升沿
↓=下降沿
Z =高阻
NC =无变化
×=无效
当MR为高电平,OE为低电平时,数据在SHCP上升沿进入移位寄存器,在STCP上升沿输出到并行端口。