MOS防反接电路

通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护。如下图

这种接法简略可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要抵达：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样功率低，发热量大，要加散热器。

MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。

由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。

一般而言，NMOS放地，PMOS放正

C3 R8两个阻容是为了抑制dv/dt，减小VDS尖峰；

二极管D7起钳位作用,保护MOS的VGS不被反向击穿；

R12是为D7提供静态电流的，起限流左右。