《涨知识啦10-边缘终端》—p型保护环
本周《涨知识啦》给大家带来的是边缘终端系列内容的第三讲，在上一讲中提到过，当器件中形成平面结时，边缘位置过强的局部电场容易导致器件提前击穿，为此采用场板结构来改善器件边缘电场。除此之外，还有一种结构同样可以高效地实现对边缘电场的改善，提高器件的击穿电压，即‘p型保护环’（如下图）。
P型保护环也被称为浮空场环，不与任何电极相连，主要利用pn结在平衡态下形成的耗尽区，当场环形成的耗尽区与主结形成的耗尽区相连后，便拓宽了主结边缘位置的耗尽区宽度，从而降低了主结边缘电场。该结构虽降低了主结边缘电场，在一定程度上避免了主结的击穿，但如果场环的参数选取不合理，在场环形成的耗尽区仍然有可能发生击穿，因此就需选用多级场环的结构（如下图），通过调整场环窗口的宽度以及场环间间距，逐步消耗表面电场，从而避免器件提前击穿。且该结构只需在掩膜上设计出场环的窗口，在扩散主结的同时便可形成场环，不必增加工艺步骤，流程简单，易于实现。
本周的《涨知识啦》就到这里啦，我们下期再见噢！