ose pse

 如图中所示，Gate A与GateB 周围POLY环境的不同便会导致PSE，65nm以下工艺，A和B参数差别会很大，加C作为DUMMY之后，B
和A周围POLY环境基本一致，参数也会较为接近。OSE原理也相近。
其实可以理解为扩散、注入等过程中，边缘浓度与中间会有很大的差别，所以需要周围加足够多的dummy，加的越多，中间器件的差别自然越小。