A2SHB采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A2SHB是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
A2SHB是PW2302A产品
A2SHB基本参数VDS = 20V， ID =3.2A ，RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=4.5V
A2SHB采用SOT23-3L的环保材质便捷封装。
RDSON 测试方法（NMOS）：（内阻越小越好）
1、 V1 电源设为 10V， V2 电源设为 5V 以内，限流设为 200mA，
2、 V4 通电， V1 通电，使 MOS 管导通，用万用表测 MOS 管 DS 之间压降△VDS。（万用表调至 mV 档）
根据公式计算： RDSON(VGS=4.5V)=△VDS÷200mA，测 RDSON(VGS=4.5V),把 V1 设 4.5V 即可