A5SHB采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A5SHB是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。

A5SHB具有比PW2302A更高的ID电流值,内阻比PW2302A偏低。

A5SHB基本参数:VDS = -20V, ID =-4.9ARDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V

A5SHB采用SOT23-3L环保材质封装形式。

A5SHB,A5SHB芯片三极管规格书

 

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