近年来，Ga2O3材料凭借着优越的电学与光学特性，愈发引起了研究人员的强烈关注，同时被广泛地应用于各类高功率半导体器件与光电子器件。因此，借助于计算软件对其内部物理机制的研究便显得尤为重要，可帮助研究人员省时、省力、省财地制备高性能的半导体器件。
近日，基于Crosslight公司先进的半导体仿真设计平台，我司技术团队不断突破技术瓶颈，完善材料性质及物理模型，创新性地开发出了Ga2O3-SBD计算模型。如上图所示，基于该模型计算输出的结果与实验结果高度吻合，对于SBD器件内部物理机制的研究极具重要的意义。该模型的成功开发有助于研究人员理清影响Ga2O3-SBD性能的诸多因素，为分析器件物理提供了重要的参考价值，而且对基于Ga2O3各类新颖半导体器件的研究具有重要的前瞻意义。
参考文献：Y. G. Wang, Y. J. Lv et al., High-Voltage（201) β-Ga2O3 Vertical Schottky Barrier Diode With Thermally-Oxidized Termination, IEEE Electron Device Letters 4(1), Jan. 2020.