三极管
这里主要研究BJT，也就是双极型晶体管，MOS管先不研究，以后再补充，不过两者的道理是大同小异的。
BJT分两种，一种是NPN型，一种是PNP型，
看上图，B代表Base，三极管的基级；C代表Collector，三极管的集电极；E代表Emitter，三极管的发射极。
发射结指的是Base极偏向Emitter极，集电结指的是Base极偏向Collector极。
晶体管要正常工作，必须发射结正偏，集电结反偏。
NPN-BJT和PNP-BJT唯一的不同在于，NPN-BJT的电流是从C流向E，PNP-BJT的电流是从E流向C。
目前我们只讨论NPN，PNP可以通过类比来学习。
对于NPN-BJT来说，三极管的作用就是：
Base极的微弱电流控制Collector端的电流流向Emitter。
也就是说，晶体管能够放大电流，如果我们把C端作为输入端，把E端作为输出端，那么晶体管的作用就是放大C端的电流，并从E端输出。
根据能量守恒定律，我们知道C端电流不可能无端地被放大，那么一定是有能量加入了，没错，这就是Base极的作用，Base极的电流非常小，但是它起到了放大C端电流的作用。
跟研究二极管同样的道理，我们首先先来研究一下晶体管的特性曲线，它到底是如何放大电流的，我们必须搞清楚它的工作方式，才能合理的使用它，而特性曲线就是一个直观的研究晶体管工作方式的图像。
晶体管发射结的导通电压范围和二极管的基本一致，也就是硅管的导通电压范围为0.6~0.8V，锗管为0.1~0.3V。
我们着重研究晶体管的输出特性曲线，它到底能够怎么放大电流。
就是基极电流，如果接近于0，那么曲线就会进入截止区，此时说，发射结电压小于开启电压。
为C极到E极的电压。如果 太小，那么晶体管就会进入饱和区，此时发射结有电流流过（发射结正偏），集电结几乎没有电流。
饱和区和截止区称为非线性区，当晶体管位于非线性区，则无法放大电流。
放大区在图中标出。
需要注意的是，随着逐渐增大，Ic端的电流基本不变，所以过大的电压不助于放大电流。