11月19日 美国高通公司日前正式发布下一代旗舰处理器骁龙835，之前曝光的一些参数也得到证实，骁龙835将采用三星10nm FinFET制造工艺，重回八核心，令人振奋的是骁龙835还带来Quick Charge 4.0快速充电标准。
据悉，Quick Charge 4.0快速充电相比上一代QC .0充电速度提升20%，充电效率提升了30%。仅需充电5分钟就可以提供长达5小时的电池寿命。
高通表示，骁龙835已经开始生产，预计搭载该处理器的旗舰机在2017年第一季度上市。由于采用了三星10纳米工艺，芯片尺寸获得30%缩小，而实现降低40%功耗，实现27%性能提升。全新的10纳米工艺芯片开创新境界，为手机提供更强“芯动力”。
然而，高通公司还没有提供详细的骁龙835参数，目前根据网络曝光消息，这颗处理器为八核芯片，自研Kryo 200架构，图形处理器（GPU）升级为Adreno 540，内置X16基带，加入LPDDR4X内存，并且最高支持8GB运行内存。
第一批搭载骁龙835新旗舰还是比较令人期待，不出意外的话，三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗舰将用上首批产品，只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。
骁龙835资料阅读：http://bbs.16rd.com/topic-xiaolong835.html
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