MOS管 G：gate栅极 S：source源极 D：drain漏极
P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出，
S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通 S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通
N沟道相反
N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。
N沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
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