MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管， 简称金氧半场效晶体管。
1: MOS管 分类
工艺上，分网上常讨论的两大类：增强型 或 耗尽型， 应用中绝大部分是(可理解为只有)增强型！ 而不使用耗尽型的MOS管. 别问为什么? 也别搜为什么? 不建议刨根问底, 因为不用。
在常用的增强型工艺上, 又分为: P沟道 或 N沟道。
所以通常NMOS就是增强型N沟道MOS，而提到PMOS是指增强型P沟道MOS管。
比较常用的是NMOS, 因为其导通电阻小， 成本低, 可替换型号多 。
2：实物图例
3: 符号及参数
N沟道: 箭头向内, P沟道: 箭头向外
G - 栅极 , 控制端
D - 漏极 , 只有一根线
S - 源极 , 两根线连接在一起的
4: 重要概念
- 漏源电压: Vdss, 可承受电压上限, 击穿电压, 并非越大越好, 耐压高的管子, 内阻也高.
- 漏极电流: ID, 可承受电流上限
- 开关速度 通常，电流越大，对应的栅极电容也越大 , 就是说开关速度变慢
- 栅源阀值电压 Vgs, 重要, 重要, 重要, 导通电压(并非饱和电压)
- 寄生二极管 在漏极和源极之间, 体二极管，方向与箭头方向相同. 在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要.
- 寄生电容 存在于三个管脚之间，是不需要的，但由于工艺限制而产生。没有办法避免，在设计时注意影响.
5: 导通特性
通过改变 栅极与源极 间的电压差, 就能控制MOS管的关断和导通.
NMOS 导通条件: Ug-Us > Vgs。 Vgs一般是2V左右, 理解为G极比S极要高2V左右时开始导通。 N管常做下管(低端驱动), 因为S极直接接地固定电压时, G极和S极之间的压差容易控制. 而当S极电压不固定时, 栅源电压较难确定, 电路比较麻烦.
PMOS 导通条件: Us-Ug > Vgs, 如果阀值电压为2V, G极比S极低2V就能导通. 一般做上管(高端驱动). 同理, 用S极接VCC 电压固定, 这时G极电压容易计算及控制, 反之, 用S极接负载, S极电压不能稳定, G极电压就更难确定, 电路上也比较麻烦.
6.应用例子1(电源防反接)
需要经常插拔电池的产品中, 防止电池反接是必需考虑的. 最简单最低成本的, 在电源输入中串一个二极管, 但二极管有压降(0.7V), 3.3V过去后只有2.6左右了, 可怕! 还有消耗电能和发热问题. 因此MOS管的 "0压降" + "大电流" , 就越来越普遍被用在防反接电路中.
7.应用例子_2
本文参考资料:
[1] https://blog.csdn.net/special00/article/details/77513624
[2] https://baijiahao.baidu.com/s?id=1608521129514082814&wfr=spider&for=pc
[3] https://blog.csdn.net/ReCclay/article/details/79273654