高通滤波器：交换电容和电阻的位置将产生出另一种电路。电容在低频时像大电阻，使分压器阻断输出，在较高的频率下，电容则好似短路一样，通过更多的电流，使较高的电压送到输出。
高通，低通滤波器都利用了电容或电感在频率响应上的特点。其具体做法是将一个电容或电感与一个电阻相配合，产生一个分压器，以将不需要的分量衰减掉，而容许所需要的分量通过。电容和电感这两种无源元件放到一起，一方面，我们则可以构成带阻滤波器和带通滤波器，其中前者把特定频率波段的分量除掉，后者则可以让特定波段的分量通过而阻断所有其余的分量。另一方面，一个电容和一个电感还可以组合成储能电路，其中会发生谐振现象。
有源滤波器
无源元件就是没有从外部进行专门供电的元件。
有源器件的输入具有非常高的阻抗。
经验法则：
电子从负极往正极移动。
直流电流只往一个方向流，其频率为零。
交流电流周期性的改变流动的方向。
直流中的频率分量为零。
当与电阻配合时，电感或电容都可以构成低通滤波器和高通滤波器。
电感和电容放在同一个电路时，将发生振荡。
有源滤波器通过加入有源器件，以保持或增强滤波器的准确性。
磁场
导线通过电流的时候会产生磁场，反过来，变化的磁场也可以产生电流，导线绕成线圈之所以被称为电感。当你给电感施加电流时，能量被作为磁场储存在电感中。当断开电流时，电感会反抗，随着磁场的衰落（消失之前它属于变化之中），能量将被释放出来。磁场的衰落将在（闭合的）导线中感应一个电流。
电磁感应现象，
变压器的每一边都是一个电感。电感就是一个简单的线圈。线圈的匝数对磁场起着聚集和增强的作用。电感的磁芯也聚集磁场的作用。
电流产生磁场，变化的磁场产生电流。变化的磁场可以是外部施加的，例如一个运动的磁铁，变压器的输入端等，也可以来自（电流自身产生的）磁场的消失。
电场
电流是有磁性的，电压是有电性的。
电场来自电荷，电荷有正负。
任何分子或原子都可以为中性（无静电荷），也可以带正电荷或者负电荷。电荷的累积就是所谓的电压。电荷就是产生电场的 电压，电荷的移动叫做电流，电流产生磁场。
正如电感是聚集磁场的一种方法，电容是聚集电场的一种方法。电容是由两个积电板（或导体）中间被一种不导电的材料分隔而成的。这种不导电的材料称为电介质。
电容能够建立的电压数值则依赖于电介质的强度。如果超过了绝缘的承受能力，那么电介质将被击穿，电荷将跨过极板间的间隙。
雷击是电容中发生的绝缘（或者说电介质）击穿现象的大规模版本。
电流产生磁场，电压产生电场。磁场能够储存能量，电场也能储存能量。当磁场消失时，它试图留住电流，当电场消失时，它试图留住电压。
经验法则：
电感把能量储存在磁场中。
电容把能量储存在电场中。
电流是有磁性的。
电压是有电性的。
拥有输入与输出的任何事物都是系统。
正反馈鼓励或加强一个行为，而负反馈则校正或抑制一个行为。
负反馈常用来实现可控的放大器和滤波器。
当把反馈信号从“反馈回路”中割断的时候，系统的增益就称为开环增益。
采用高的开环增益，再配上负反馈，将使放大器和滤波器电路的误差达到最小。
经验法则：
把每样器件都集总在一个“魔盒”里。
增益或者说“魔术”等于输出比上输入。
在系统中加入反馈环可以产生不同的结果。
正反馈会引起闭环或使输出到达极限。
延后的正反馈可以产生振荡。
负反馈信号具有较正的特性。
负反馈产生可控制的输出。
当反馈断开时，从输入到输出的系统增益称为开环增益。
反馈起作用时的系统增益称为闭环增益。
半导体器件可以分成两类：电流驱动型和电压驱动型。电流驱动型的器件要求有电流流入才能工作。电压驱动型的器件对输入端的电压变化产生反应。
二极管的两个重要特性：正向压降，反向击穿电压。
在二极管结构的基础上，附加一个P型或N型的半导体来构成的，这被称作双极型晶体管，简称晶体管或BJT。它也分成两类：NPN型和PNP型。
NPN需要电流流入基极来开通晶体管，而PNP需要电流流出基极才能开通。换句话说，NPN需要基极具有比发射极更大的电压，而PNP需要基极比发射极更负的电压。
晶体管用做开关
- 饱和
- 晶体管的类型要用对
晶体管用作线性放大器，这是因为流经集电极的电流正比于流经基极的电流。这个比例称为晶体管的放大系数，用百特或HFE表示。
场效应晶体管FET
FET，其输出特性基本上相当于输入电压的可变电阻。FET的输出端分别称为漏极和源极，而输出端则称为门极。
为了使一个FET开通，其门极上几乎不需要有电流流过（而只需施加一个电压即可）。有些性能较好的运放使用FET作为输入端，其原因就在这里。FET的缺点是，它比晶体管容易损坏。FET对静电和过电压比较敏感，因此在使用这类器件时，请注意其最大定额参数。
一些不常见的半导体器件
达林顿管：在达林顿管中，基极-发射极的二极管压降基本上翻了一倍。
SCR：当你构建一个PNPN结构时，得到的就是SCR，其全名是可控硅整流器。它本质上是一个二极管和一个晶体管的组合，它可以很容易地对大电流进行开关控制。你可以开通它，但不能断开它。只有当流经SCR的电流低于其保持电流（一个很小的电流）时，它 才会关断自己。SCR是晶闸管的一种。
TRIAC：它是SCR的一个兄弟，也是晶闸管的一种。你可以把它看成是反向背靠背的两个SCR，因此它是一个很有效的交流开关。它常见于固态继电器等场合。
IGBT：全称绝缘栅双极型晶体管，可以看成晶体管和FET的某种组合。它利用一个FET来迫使负载电流流过一个大晶体管。
有一点我再怎么强调都不过分，那就是你必须仔细阅读所使用的元件的参数表。你对元件的特性了解越多，你的设计就会越好。
电阻乘以流过的电流就是压降，压降乘以电流就等于功率。