常见嵌入式存储器区别

	FRAM	E²PROM	FLASH	SRAM
记忆类型	非易失性	非易失性	非易失性	易失性
数据写入方法	重写	字节单元擦除+写入	扇区单元擦除+写入	重写
数据写入周期	150ns	10ms	10μs	55ns
读写耐久性	10¹²（1万亿次）	10⁶(100万次)	10⁵(10万次)	无限
电荷泵电路	不需要	需要	需要	不需要

转自 EEWORLD

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