1. Si在Al中的扩散
Si在Al中的溶解度比较高，在400-500℃退火温度范围内，Si在Al薄膜中的扩散系数比在晶体Al中大40倍。这是因为Al薄膜通常为多晶，杂质在晶界的扩散系数远大于在晶粒内的扩散系数。
2. Al/Si接触中的尖楔现象
由于硅在铝中的溶解度较大，Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散离开接触孔的同时，Al也会向接触内运动、填充因Si离开而留下的空间。如果Si不均匀地溶解到Al中，Al就会在某些接触点，像尖钉一样楔进Si衬底中，如果尖楔深度大于结深，就会使pn结失效。
3.解决尖楔现象的方法
1）在Al中掺入1-2%Si以满足溶解性；
2）沉积Al薄膜之前，先沉积一层重磷或重砷（磷和砷同列元素）掺杂的多晶硅薄膜，构成铝-重磷（砷）掺杂多晶硅双层结构，这种方法已成功应用在nMOS工艺中；
3）利用扩散阻挡层（Diffusion Barrier），如TiN、TiW。
方法1，在制备Al-Si合金时，在较高的退火温度中硅溶解在Al中，冷却过程中又从Al中析出。限制了Al-Si合金在集成电路中的使用。较好的方法是第3种，采用阻挡层，同时在掺杂硅和阻挡层之间加一层Ti或者TiSi2，Ti和TiSi2有好黏附性，且能和半导体形成良好的欧姆接触。