该章节主要介绍了14nmFinFET相关的器件特性，给出了器件随着尺寸缩小电学参数变化的趋势。随着先进工艺而带来的一些新的效应：量子隧穿效应、短沟效应、DIBL效应、热载流子效应、速率饱和效应等。这些新增的效应对于器件的特性行为有着极大的影响。随着器件尺寸的缩小，Layout Depend Effect愈发重要…
FinFET:凸起的SourceDrain像鲨鱼的鳍(Fin)一样,被gate三面包围,相比于2-D结构的体硅器件，极大的增加了接触面,从而增强了Gate电压对栅氧电荷的控制能力，提高电流能力的同时，也抑制了短沟效应。
FinFET相比体硅(Bulk)有众多优点：由于FinFET轻掺杂体或不掺杂，相比之下拥有更少的随机掺杂波动，从源头上削弱了mismatch；FinFET拥有较强的电流能力，较大的跨导，较高的增益，较快的速度…
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