金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管
N沟道增强型MOSFET
栅源加电压，在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。
漏源加电压，产生电压梯度，导致沟道夹断。预夹断的临界条件
输出特性
特性方程
可变电阻区
饱和区
N沟道耗尽型MOSFET
栅源加负电压，在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。
输出特性
P沟道MOSFET
沟道长度调制效应
理想情况下，MOSFET工作在饱和区时，漏极电流与漏源电压无关。而实际上，漏源电压对沟道长度L的调制作用，漏源电压增加时，漏极电流会有所增加。因此，输出特性公式需要进行修正
典型器件，λ的值近似表示为，单位μm