1.2晶体管和FET的工作原理

1.2.1 何为放大工作

晶体管或FET中大小与输入信号呈正比的输出信号可以认为是从电源来的,他们的输入信号从基级进入而从发射级出来,晶体管或FET只是吸收此时输入信号的振幅信息,由电源重新产生输出信号,这就是放大的原理第一章 概述


1.2.2晶体管的工作原理(全名:双极晶体管)

第一章 概述

实际晶体管种类很多,但只是在最大规格,电特性和外形等方面不同,但是工作原理都和上图一样


晶体管可以这样理解,如下图,在基级-发射级间加入二极管,当晶体管工作时,基级-发射极间压降与二极管的正向压降相同,为0.6~0.7V。也就是说在设计时就按Vbe=0.6V计算

第一章 概述


1.2.3 FET的工作原理(Field Effect Transistor场效应管)

第一章 概述


1.3晶体管和FET的近况

虽说电路的主角已经是IC和LSI,但是还有很多必须使用晶体管和FET分立器件的领域

1.3.1外形(封装)的改进

功率放大器需要大外形的封装,这是为了增大散热面积和与散热器的接触面积。

第一章 概述

以前金属壳封装的器件可靠性更好,而现在基本被塑料压模封装的器件的所替代,因为现在这种封装的更可靠。

第一章 概述

小信号器件的外形越来越小,是为了进一步减小封装面积。

第一章 概述

高频器件将引脚做短,引脚形状设计成板状,以及器件本身的特殊形状都是为了降低感抗和容抗,使其接近零。

第一章 概述

1.3.2内部结构的改进

晶体管或FET用了很多IC与LSI的技术


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