批量load内存访问指令可以一次从连续的内存单元中读取数据，传送到指令中的内存列表中的各个寄存器中。
批量store内存访问指令可以将指令中寄存器列表中的各个寄存器值写入到内存中，内存的地址由指令中的寻址模式确定。
批量Load/Store内存访问指令的语法格式如下：
LDM|STM{< cond >} < addressing_mode > Rn{!}, < registers >{^}
其中，操作数的寻址方式可参考之前介绍。
批量Load/Store内存访问指令主要有以下几条。
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LDM(1)：批量内存字节数据读取指令
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LDM(2)：用户模式的批量内存字数据读取指令
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LDM(3)：带状态寄存器的批量内存字数据读取指令
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STM(1)：批量内存字数据写入指令
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STM(2)：用户模式的批量内存字数据写入指令