一、SDRAM简介@TOC
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图 1所示：
容量计算：
SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
操作时序
首先，在对SDRAM进行读写操作之前需要先对芯片进行初始化；其次，SDRAM读写是一个较为复杂的控制流程，其中包括行**、列读写、预充电、刷新等一系列操作。大家需要熟练掌握每一个操作所对应的时序要求，才能够正确地对SDRAM进行读写操作。
1、芯片初始化
SDRAM芯片上电之后需要一个初始化的过程，以保证芯片能够按照预期方式正常工作，初始化流程如图 2所示：
SDRAM上电后要有200us的输入稳定期，在这个时间内不可以对SDRAM的接口做任何操作；200us结束以后给所有L-Bank预充电，然后是连续8次刷新操作；最后设置模式寄存器。初始化最关键的阶段就在于模式寄存器（MR，Mode Register）的设置，简称MRS（MR Set）。
2、行**
行**主要完成了芯片的片选、L-BANK的地址确定和行地址的确认。
从上图可以看出，在片选CS#（#表示低电平有效）、L-Bank定址的同时，RAS（Row Address Strobe，行地址选通脉冲）也处于有效状态。此时An地址线则发送具体的行地址。如图中是A0-A11，共有12个地址线，由于是二进制表示法，所以共有4096个行（2^12=4096），A0-A11的不同数值就确定了具体的行地址。
3、列读写
列寻址信号与读写命令是同时发出的，读/写命令是通过WE（Write Enable，写使能）信号来控制的，WE为低时是写命令，为高时是读命令。