首先我们来介绍一下半导体是什么~~
金属导体原子外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子，构成大量导电载流子。绝缘体原子最外层的价电子被原子核束缚的很紧，极难成为自由电子。而半导体原子最外层价电子处于半自由状态，其导电性能介于导体和绝缘体之间。
2.半导体的特性
（1）导电能力受环境影响大，半导体内有自由电子和空穴两种载流子，二者浓度直接控制其导电能力。在获得一定能量（温度增高或受到光照）价电子挣脱束缚，成为自由电子，自由电子在晶格中的移动，形成导电能力。（ps:自由电子带负电，空穴带正电）温度越高，价电子获得能量越大，越易形成电子-空穴对（载流子越多，导电性能越好）。所以外界因素特别是温度，对半导体导电能力影响很大，可利用半导体的该特性做成热敏元件和光电元件
（2）导电能力可控
在纯净的半导体中，掺入极微量的有用杂质，其导电能力可以增加几十万乃至几百万倍，无论是空穴还是自由电子载流子浓度增加，都将使半导体导电能力增加
3.PN结
(1)P型半导体：空穴导电成为半导体导电主要方式（2）N型半导体：自由电子成为多数载流子。
界面处存在载流子的浓度梯度，形成多数载流子向对侧的扩散运动，留下不可移动的正负电荷，形成内建电场，阻止多数载流子的扩散进一步进行，另外，对进入内建电场空间电荷区的少量载流子，内建电场又驱动其到对侧形成少量载流子的漂移运动，在一定温度下，如果无外界电场的作用，多数载流子的扩散和少数载流子的漂移运动将达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定，形成稳定的空间电荷区，即PN结。
二极管
点接触型：多为锗管
面接触性：多为硅管
二极管伏安特性曲线
死区电压：外加正向电压小，不足以克服PN结内建电场，正向电流几乎为0，这一段成为“死区”。（锗管 0.2，硅管 0.5）
正向电压：导通时二极管的端电压几乎不变，锗管：0.3，硅管：0.7。
二极管的电路模型
1.理想二极管电路模型
2.考虑正向电压的二极管电路模型
3.考虑正向伏安特性曲线斜率的电路模型