AVR 组装 - 将端口数据存储在程序闪存中答案

【问题标题】：AVR Assembly - store port data in program flashAVR 组装 - 将端口数据存储在程序闪存中
【发布时间】：2015-07-05 02:37:46
【问题描述】：

有人能指点我一个很好的教程，解释在 Atmega 328P 的程序闪存中存储数据吗？我计划以 1 Mhz 的频率从 portB 接收 8 位数据，我想将接收到的前 19200 字节数据存储在具有 32k 内存的程序闪存中。我是 AVR 程序集的新手，在阅读了所有可以用谷歌搜索的内容后我有点困惑，因此非常感谢直接回答或阅读一些好的教程。

到目前为止，我已将其编码为

LDI XL, LOW(NRWW_START_ADDR)
LDI XH, HIGH(NRWW_START_ADDR)
loadBuffer:
IN R0,PORTB
ST X+,R0
CPI XH,0x4B
BRNE loadBuffer

但我不确定这是否是正确的做法。我不想覆盖引导加载程序。另外，我正在寻找汇编程序中的解决方案。

非常感谢任何帮助或指针。

【问题讨论】：

ST 指令不写入程序存储器。您需要使用 STM 指令来写入程序存储器，但这比这要复杂得多。您也不能以这种方式从 PORTB 读取串行数据。 PORTB 寄存器仅用于输出，它是一个并行端口输出。最后，如果您的程序确实有效，它将覆盖引导加载程序部分，因为它位于 NRWW 部分，并溢出程序存储器的末尾。 NRWW 段只有 2K，存在于程序存储器的末尾。
非常感谢。你能告诉我在什么位置可以开始写入闪存吗？我在想我需要以某种方式找出引导加载程序的可用区域，并且应用程序将被写入闪存。你知道怎么解决吗？
您需要在应用程序中为缓冲区保留 19200 字节（9600 字）。缓冲区需要按页对齐（128 字节，64 字），因为您必须按页擦除和写入程序存储器。您还需要将 STM 指令放在引导加载程序部分，因为它在应用程序部分不起作用。您还需要保留一大块 SRAM，以便在页面写入操作发生时使用缓冲区来存储传入的数据。执行这些操作需要 3.7 毫秒到 4.5 毫秒。完成这一切所需的代码比您的示例代码复杂得多。

标签： assembly avr arduino-uno atmega atmelstudio

【解决方案1】：

两个音符：

您在此示例中犯了一个常见错误：在同一端口上混洗输入和输出。如果要从B端口读取，则必须读取PINB；如果你想给它写信，你必须写信给PORTB。（假设之前设置了DDRB。）
您确定要使用闪存存储数据吗？数据表说：

写入/擦除周期：10,000

【讨论】：

嗨，我意识到我对代码不小心，对我来说它仍然是伪代码。我知道读/写限制，但我可以接受“附带损害”。我阅读并理解闪存只能由位于引导加载程序部分的代码写入 - 这使得它变得更加棘手。由于非常严格的时序限制，我正在使用汇编程序进行编码。我想从 1 Mhz 的数字输入端口捕获 2 位数据，持续大约 65k 周期。所以本质上，我需要每 4 个周期将 2 位数据累积成一个字节，然后每一个字节。