为什么 NAND 或 NOR 中的擦除不按页执行？答案

【问题标题】：Why Erase in NAND or NOR is not performed Page wise?为什么 NAND 或 NOR 中的擦除不按页执行？
【发布时间】：2014-07-01 11:55:31
【问题描述】：

擦除始终由 Block 执行，而不是由 Page 或 Word 执行。如果 Page 可以执行 Read 和 Write，为什么 Erase 不可以？

【问题讨论】：

我认为这是因为NAND和NOR的内部架构，如果你研究NAND和NOR的架构，你会得到答案。
这个问题似乎是题外话，因为它是关于电子硬件的。 electronics.stackexchange.com
NOR 闪存没有“页”的概念——块和页是 NOR 的同义词。 NAND 闪存不是“随机访问”，必须由 page 读取，并由 block 擦除，以便在用作大容量存储时具有灵活性和效率，一个 block 和 page 的大小不必相同。所有这些信息都可以在elsewhere 获得。
我更详细地问了这个问题，得到了回答：electronics.stackexchange.com/questions/125228/…

标签： embedded flash-memory

【解决方案1】：

这是由于闪存设备的物理架构造成的，其中内存阵列被划分为多个块。只能以块的形式擦除存储在设备中的数据，一次一个或多个块顺序或并行（取决于设备制造商的慷慨程度）。正如处理器字或页面的大小（无论定义为什么）在处理器体系结构之间可能会有所不同，这些块的大小也会因设备而异——我使用的设备的扇区在 32 字节和 128K 字节之间。

如果您需要能够擦除内存中的单个字节，那么您需要使用 EEPROM 内存。

【讨论】：