解决iOS ARM弱内存写入顺序的内存障碍？答案

【问题标题】：Memory barriers to solve iOS ARM weak memory write ordering?解决iOS ARM弱内存写入顺序的内存障碍？
【发布时间】：2016-08-27 09:08:58
【问题描述】：

据报道，iOS 设备中的 ARM 处理器不会强制执行内存写入的顺序。这意味着如果一个处理器写入一个数据结构或数组，然后更新一个有效标志，另一个处理器可以在数据到达内存之前看到更新的有效标志，从而读取垃圾。即使标志变量很小（原子大小）并且声明为 volatile，也是如此。

是否有任何方法（在 Swift 或 Objective C 中）告诉 Xcode 在某些 ARM 内存屏障指令、内在函数或等效调用中进行编译，以保证将数据写入内存（对同一芯片上的其他处理器可见） ) 在发出后续有效标志更新之前？

这适用于不允许在实时回调中锁定的实时代码。

【问题讨论】：

【解决方案1】：

查看 libkern/OSAtomic.h，它应该包含您需要的所有内容。

或者查看最新的 C 和 C++ 标准支持；这也适用于iOS。

【讨论】：

谢谢。看起来像是一次调用 OSMemoryBarrier();直接来自 Swift 代码。
然而，似乎无法保证当前的 2.x Swift 编译器不会重新排序 OSAtomic 内存屏障，从而使其不可靠。因此，当前的解决方案可能是调用包含整个代码块的 C 或 Objective C 代码，其中需要一些顺序保证，并在那里插入任何需要的内存屏障。