如何在不擦除其他页面的情况下擦除 m25p40 闪存的单页？答案

【问题标题】：how to erase single page of m25p40 flash without erasing other pages?如何在不擦除其他页面的情况下擦除 m25p40 闪存的单页？
【发布时间】：2014-09-17 01:45:18
【问题描述】：

我正在使用 m25p40 闪存和 jn5148 MCU。在这个闪存的数据表中，它是这样写的：

擦除能力：

扇区擦除：0.6 秒内 512Kb (TYP)
批量擦除：4.5 秒内 4Mb (TYP)

我在覆盖存储在一页扇区中的数据时遇到问题。那么，如何擦除一页，并在该页中写入新数据？有什么解决方案可以擦除扇区的一页，而不擦除同一扇区的其他页？

【问题讨论】：

如果你只能擦除一个扇区，而不是一个页面，那么你必须复制整个扇区，擦除它，然后将扇区写回（修改后的页面）。如果可以擦除单个页面，那么它应该在数据表中，请仔细阅读！
但在这种情况下会增加不必要的延迟。修改一页内容至少需要 2 秒！！！我想用这个闪存进行实时数据存储。

标签： c flash microcontroller eeprom

【解决方案1】：

您不能重写一页。您必须至少重写一个扇区。因此，如果您想更改 a.k.a 在所选扇区的任何页面中重写至少一个字节，您可以执行以下操作：

将所有扇区读取到 RAM。
擦除该扇区。
在 RAM 中更改所需数据。
将更改的数据写回闪存的扇区。

您必须阅读这篇文章：Five things you never knew about flash drives

【讨论】：

【解决方案2】：

这是从 m24p40 文档中引用的扇区擦除过程

SECTOR ERASE 命令将所选中的所有位设置为 1 (FFh) 部门。在 SECTOR ERASE 命令可以被接受之前，一个 WRITE ENABLE 命令必须先前已执行。写后 ENABLE 命令已解码，设备设置写使能锁存器（WEL）位。扇区擦除命令由驱动芯片输入选择 (S#) LOW，后跟命令代码和三个地址字节在串行数据输入（DQ0）。扇区内的任何地址都是有效的扇区擦除命令的地址。 S# 必须被驱动为低电平整个序列的持续时间。 S# 后必须驱动为高电平最后一个地址字节的第八位已被锁存。否则没有执行 SECTOR ERASE 命令。一旦 S# 被驱动为高电平，启动自定时扇区擦除周期；周期的持续时间是 t SE 。虽然扇区擦除周期正在进行中，状态可以读取寄存器以检查正在进行的写入 (WIP) 的值少量。 WIP 位在自定时扇区擦除周期内为 1，并且是循环完成时为 0。在之前的某个未指定时间周期完成后，WEL 位被复位。扇区擦除命令是如果应用于硬件或软件扇区，则不执行受保护。

【讨论】：

【解决方案3】：

根据the datasheet：

可以使用 PAGE 一次将存储器编程为 1 到 256 个字节程序命令。它分为 8 个扇区，每个扇区包含 256 个页。每页宽 256 字节。

虽然我不知道它是否真的有效，而且我无法测试它，但我也发现有人已经这样做了with an avr µC，如果你不想阅读，它应该会给你一个示例函数write(address, word)页面程序序列（数据表第 27 页）并自己编写。

【讨论】：

能否给我“example write(address,word)”的链接？
已经在我的回答中，但这里是avrfreaks.net/…
我不明白这是如何回答这个问题的。页面程序与擦除页面不同。我不相信页面可以单独删除。
最终他不想擦除一个页面，他想向它写入新数据。